ওড়িশা পেল ৩,৪০৬ কোটি টাকার সিলিকন কার্বাইড সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন ইউনিট।
ওড়িশা তার দ্বিতীয় সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন কেন্দ্রের জন্য অনুমোদন পেয়েছে, যা SiCSem প্রাইভেট লিমিটেড দ্বারা পরিচালিত হবে এবং খোরধা জেলার IDCO ইনফোভ্যালি-II-তে ৩,৪০৬.২৫ কোটি টাকা বিনিয়োগ করা হবে। ইউনিটটি সিলিকন কার্বাইড (SiC) ডায়োড এবং MOSFET তৈরিতে বিশেষায়িত, যার বার্ষিক উৎপাদন প্রায় ৯৬ মিলিয়ন ইউনিট। ভবিষ্যৎ পাঁচ বছরে এটি ৭,০৪৩ কোটি টাকার রপ্তানি আয় এবং ১,২৭০টি সরাসরি কর্মসংস্থান সৃষ্টির প্রত্যাশা রাখে। SiC এর উৎকৃষ্ট বৈশিষ্ট্য ডিভাইসগুলোকে উচ্চ ভোল্টেজ ও তাপমাত্রায় দক্ষভাবে কাজ করার সুযোগ দেয়, যা বৈদ্যুতিক যানবাহন, নবায়নযোগ্য শক্তি, প্রতিরক্ষা ও রেলপথের মতো ক্ষেত্রে গুরুত্বপূর্ণ। এটি ওড়িশাকে ভারতের সেমিকন্ডাক্টর ইকোসিস্টেমে একটি কেন্দ্রীয় স্থান পেতে সাহায্য করবে।
এই প্রতিবেদনটি এআই-সহায়তায় প্রস্তুত এবং স্বয়ংক্রিয় মান যাচাইয়ের পর প্রকাশিত হয়েছে।
মূল তথ্য
- ৩,৪০৬.২৫ কোটি টাকা বিনিয়োগে প্রকল্পটি ১৫ সেপ্টেম্বর ২০২৬ তারিখে অনুমোদিত হয়েছে।
- ফলতা বিশেষ অর্থনৈতিক অঞ্চলের অন্তর্গত খোরধা জেলার জাতনি তহসিলের আরিসল মৌজায় আইডিকেও ইনফোভ্যালি-২-এ অবস্থিত।
- সিলিকন কার্বাইড (SiC) ডায়োড এবং MOSFET তৈরি করে, বার্ষিক উৎপাদন ক্ষমতা ৪৮ লক্ষ SiC ডায়োড এবং ৯১.২ কোটি SiC MOSFET।
- প্রকল্প এলাকাটি ২১.৮৮৯ একর জুড়ে বিস্তৃত।
- অর্থায়নের মধ্যে রয়েছে ৭০০ কোটি টাকার কেন্দ্রীয় ভর্তুকি, ৩৫০ কোটি টাকার ওড়িশা সরকারের ভর্তুকি এবং ১,৯৫৬.২৫ কোটি টাকার উদ্যোক্তা অবদান।
- আগামী পাঁচ বছরে ৭,০৪৩ কোটি টাকার রপ্তানি আয় এবং ৪,৫২৩ কোটি টাকা নিট বৈদেশিক মুদ্রা অর্জনের প্রত্যাশা রয়েছে।
- আনুমানিক ১,২৭০ টি সরাসরি কর্মসংস্থান সৃষ্টি হবে।
পটভূমি ও প্রেক্ষাপট
সিলিকন কার্বাইড (SiC) হলো সিলিকন এবং কার্বন পরমাণু দ্বারা গঠিত একটি যৌগিক সেমিকন্ডাক্টর। এর প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ প্রচলিত সিলিকন-ভিত্তিক সেমিকন্ডাক্টরের তুলনায় উচ্চতর ভোল্টেজ এবং তাপমাত্রায় কাজ করতে সক্ষম করে। এই কারণে SiC ডিভাইসগুলো বৈদ্যুতিক যানবাহন (EV), নবায়নযোগ্য শক্তি ব্যবস্থা, রেলপথ এবং প্রতিরক্ষা ইলেকট্রনিক্সের মতো উচ্চ-ক্ষমতা ও উচ্চ-তাপমাত্রার প্রয়োগে উপযুক্ত।
SiCSem প্রাইভেট লিমিটেডের নতুন উৎপাদন কেন্দ্রটি ওড়িশার দ্বিতীয় প্রধান সেমিকন্ডাক্টর ইউনিট, যা রাজ্যটিকে একটি উদীয়মান সেমিকন্ডাক্টর কেন্দ্র হিসেবে প্রতিষ্ঠিত করছে। এই প্রকল্পটি ভারতের ইন্ডিয়া সেমিকন্ডাক্টর মিশন (ISM)-এর অংশ, যার লক্ষ্য দেশীয় সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন বৃদ্ধি, আমদানিনির্ভরতা কমানো এবং উচ্চ প্রযুক্তির শিল্পোন্নয়ন উৎসাহিত করা।
পরীক্ষার প্রাসঙ্গিকতা
এই প্রকল্পটি ভারতের আধুনিক সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনের জন্য সরকারের উদ্যোগের একটি ভালো উদাহরণ, যা প্রযুক্তির গুরুত্ব, বিনিয়োগের পরিমাণ এবং আঞ্চলিক শিল্প নীতি তুলে ধরে। SiC প্রযুক্তি ও এই কারখানার কৌশলগত তাৎপর্য বোঝা বিজ্ঞান ও প্রযুক্তি, শিল্প উন্নয়ন এবং অর্থনৈতিক ভূগোল সম্পর্কিত পরীক্ষার বিষয়ের সঙ্গে সামঞ্জস্যপূর্ণ।
মনে রাখার বিষয়
- সিলিকন কার্বাইড সেমিকন্ডাক্টরের ব্যান্ডগ্যাপ সিলিকনের চেয়ে প্রায় তিনগুণ প্রশস্ত, যা উচ্চ ভোল্টেজ ও তাপমাত্রায় কাজ করার সুযোগ দেয়।
- SiC MOSFET ও ডায়োডগুলি EV, নবায়নযোগ্য শক্তি, রেল এবং প্রতিরক্ষা ক্ষেত্রে শক্তি-দক্ষ ও উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন ডিভাইসের গুরুত্বপূর্ণ উপাদান।
- প্রকল্পটি ফলতা বিশেষ অর্থনৈতিক অঞ্চলের মধ্যে অবস্থিত, যেখানে সুবিধাজনক অবকাঠামো ও নীতিগত প্রণোদনা রয়েছে।
- অর্থায়নে কেন্দ্রীয় এবং ওড়িশা সরকার উভয়েরই ভর্তুকি এবং উদ্যোক্তাদের বিনিয়োগ রয়েছে।
- SiCSem-এর এই কারখানা ওড়িশার দ্বিতীয় সেমিকন্ডাক্টর প্ল্যান্ট, যা রপ্তানি আয় ও কর্মসংস্থান বাড়াবে বলে আশা।
অনুশীলনী MCQ
প্রশ্ন ১
- ₹৩,৪০৬.২৫ কোটি
- ₹২,০৬৭ কোটি
- ₹৭০০ কোটি
- ₹৩৫০ কোটি
উত্তর: ₹৩,৪০৬.২৫ কোটি (ওড়িশার SiCSem সেমিকন্ডাক্টর প্রকল্পের মোট বিনিয়োগ)
প্রশ্ন ২
- খোরধা জেলা
- ভুবনেশ্বর জেলা
- কটক জেলা
- জগৎসিংহপুর জেলা
উত্তর: খোরধা জেলা (SiCSem সেমিকন্ডাক্টর কারখানার অবস্থান)
প্রশ্ন ৩
- ৪.৮ মিলিয়ন SiC MOSFET
- ৯১.২ মিলিয়ন SiC ডায়োড
- ৪.৮ মিলিয়ন SiC ডায়োড এবং ৯১.২ মিলিয়ন MOSFET
- মোট ১২ মিলিয়ন ইউনিট
উত্তর: ৪.৮ মিলিয়ন SiC ডায়োড এবং ৯১.২ মিলিয়ন MOSFET (বার্ষিক উৎপাদন ক্ষমতা)